廣東瑞樂(lè)科技專(zhuān)注于高精度溫測(cè)、溫控設(shè)備的生產(chǎn)和研發(fā)定做，為半導(dǎo)體行業(yè)提供科學(xué)的國(guó)產(chǎn)解決方法，更多有關(guān)TC Wafer?晶圓測(cè)溫系統(tǒng)資訊請(qǐng)關(guān)注瑞樂(lè)官網(wǎng)。

晶圓就是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，再慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在通過(guò)研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國(guó)內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以8英寸和12英寸為主。【晶圓測(cè)溫系統(tǒng)】

晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即與此同時(shí)加工1片或多片晶圓。伴隨著半導(dǎo)體特征尺寸愈來(lái)愈小，加工和測(cè)量?jī)x器越來(lái)越先進(jìn)，促使晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。與此同時(shí)，特征尺寸的減小，促使晶圓加工時(shí)，空氣中粒狀數(shù)對(duì)晶圓加工后質(zhì)量及穩(wěn)定性的作用變大，不過(guò)隨著潔凈的提高，顆粒數(shù)量也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。【晶圓測(cè)溫系統(tǒng)】

化學(xué)氣相沉積要在制造微電子器件時(shí)被用于沉積出某類(lèi)薄膜的技術(shù)，這類(lèi)薄膜有可能是介電材料或半導(dǎo)體。物理氣相沉積技術(shù)乃是采用惰性氣體，撞擊濺鍍靶材，在晶圓表層沉積出所需要的材質(zhì)。制程反應(yīng)室內(nèi)的高溫和真空環(huán)境可以讓這些金屬原子結(jié)成晶粒，在通過(guò)圖案化（patterned）和蝕刻，獲得所需要的導(dǎo)電電路。【晶圓測(cè)溫系統(tǒng)】

光學(xué)顯影是把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到薄膜上。光學(xué)顯影一般包括光阻涂布、烘烤、光照對(duì)準(zhǔn)、曝光和顯影等步驟。干式蝕刻是最常用的蝕刻方式，以氣體為主要的蝕刻媒介，由電漿來(lái)驅(qū)動(dòng)反應(yīng)。蝕刻是把表層某類(lèi)沒(méi)有用的材質(zhì)部分去除。

化學(xué)機(jī)械研磨（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）是既有機(jī)械研磨還有酸堿溶液式的化學(xué)研磨兩種相結(jié)合的技術(shù)，可以讓晶圓表層比較平坦，便于后期生產(chǎn)工序。在進(jìn)行研磨時(shí)，研磨漿在晶圓和研磨墊之間。作用CMP的因素有：研磨頭的壓力和晶圓平坦度，旋轉(zhuǎn)速度，研磨漿的化學(xué)成分等等。【晶圓測(cè)溫系統(tǒng)】

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